Hybrid Active-Field Gap Extended Drain Mos Transistor

WO2012058281 Art A2 3. Mai 2012

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012058281
Aktenzeichen: EP11836994
Anmeldetag: 26. Oktober 2011
Veröffentlichung: 3. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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