Method for testing density of traps in gate dielectric layer of semiconductor device led out without substrate

WO2012058995 Art A1 10. Mai 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012058995
Aktenzeichen: EP11837521
Anmeldetag: 29. September 2011
Veröffentlichung: 10. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/60

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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