Plasma annealing method and device for same

WO2012060325 Art A1 10. Mai 2012

Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012060325
Aktenzeichen: EP11837975
Anmeldetag: 31. Oktober 2011
Veröffentlichung: 10. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissan Chemical Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissan Chemical Corporation

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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