Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate and apparatus for processing substrate

WO2012060379 Art A1 10. Mai 2012

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012060379
Aktenzeichen: EP11838029
Anmeldetag: 1. November 2011
Veröffentlichung: 10. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318C23C16/56H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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