Method of etching of soi substrate, and back-illuminated photoelectric conversion module on soi substrate and process of manufacture thereof
WO2012063425
Art A1
18. Mai 2012
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012063425
- Aktenzeichen
- EP11839769
- Anmeldetag
- 28. Oktober 2011
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/306H01L21/308H01L27/12H01L27/146
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.