Divided sputtering target and method for producing same

WO2012063525 Art A1 18. Mai 2012

Anmelder: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012063525
Aktenzeichen: EP11839731
Anmeldetag: 13. Juli 2011
Veröffentlichung: 18. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsui Mining & Smelting

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Nichteisenmetallen sowie der Herstellung von Materialien für die Elektronikindustrie.

902 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von