A method for forming a buried dielectric layer underneath a semiconductor fin

WO2012066049 Art A1 24. Mai 2012

Anmelder: IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012066049
Aktenzeichen: EP11802293
Anmeldetag: 16. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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