Method for fabricating thin-film bottom-contact transistors and bottom-contact transistors thus obtained
WO2012066087
Art A1
24. Mai 2012
Anmelder: IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012066087
- Aktenzeichen
- EP11790739
- Anmeldetag
- 17. November 2011
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L51/05H01L51/10H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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