Susceptor and method of manufacturing epitaxial wafer

WO2012066752 Art A1 24. Mai 2012

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012066752
Aktenzeichen: EP11841887
Anmeldetag: 10. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/458H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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