Electrode film, sputtering target, thin-film transistor, method for manufacturing thin-film transistor
WO2012067030
Art A1
24. Mai 2012
Anmelder: Ulvac, Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012067030
- Aktenzeichen
- EP11841974
- Anmeldetag
- 11. November 2011
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28C22C27/04C23C14/34H01L21/285H01L21/306H01L21/3205H01L23/52H01L29/423H01L29/49H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Ulvac, Inc.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
ULVAC
Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.
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