Silicon carbide substrate, and method for producing semi-conductor element and silicon carbide substrate

WO2012067105 Art A1 24. Mai 2012

Anmelder: Hoya Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012067105
Aktenzeichen: EP11840855
Anmeldetag: 15. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hoya Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hoya

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, aktiv in den Bereichen optische Gläser, Halbleiterfotomasken und medizinische Endoskopie- sowie Augenheilkundeprodukte.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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