Double -gated dram transistors and methods of fabricating and operating the same

WO2012067920 Art A1 24. Mai 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012067920
Aktenzeichen: EP11784570
Anmeldetag: 9. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/336H01L29/10H01L29/78H01L29/423G11C11/401

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von