Methods for forming planarized hermetic barrier layers and structures formed thereby

WO2012067955 Art A2 24. Mai 2012

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012067955
Aktenzeichen: EP11841698
Anmeldetag: 11. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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