Doping of planar or three-dimensional structures at elevated temperatures

WO2012068088 Art A1 24. Mai 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012068088
Aktenzeichen: EP11791694
Anmeldetag: 15. November 2011
Veröffentlichung: 24. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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