Method for manufacturing a mos-field effect transistor
WO2012068206
Art A2
24. Mai 2012
Anmelder: Microchip Technology Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012068206
- Aktenzeichen
- EP11787774
- Anmeldetag
- 16. November 2011
- Veröffentlichung
- 24. Mai 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Microchip Technology Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Microchip Technology
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Chandler, Arizona, bekannt für Mikrocontroller und analoge Halbleiterbauelemente.
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