Method of fabricating semiconductor substrate for fabricating high power device
WO2012068777
Art A1
31. Mai 2012
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012068777
- Aktenzeichen
- EP11843153
- Anmeldetag
- 18. November 2011
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
581 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.