Composite-source structure low-power consumption mos transistor and preparation method thereof

WO2012068928 Art A1 31. Mai 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012068928
Aktenzeichen: EP11842664
Anmeldetag: 14. Oktober 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/08H01L29/423

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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