Methods of forming bulk iii-nitride materials on metal-nitride growth template layers, and structures formed by such methods

WO2012069520 Art A1 31. Mai 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012069520
Aktenzeichen: EP11785446
Anmeldetag: 23. November 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/40H01L21/02H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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