Methods for forming group iii-nitride materials and structures formed by such methods

WO2012069530 Art A1 31. Mai 2012

Anmelder: Soitec, Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012069530
Aktenzeichen: EP11785449
Anmeldetag: 23. November 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/02C30B29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
Arizona Board Of Regents, For And On Behalf Of Arizona State University
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von