Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauelements und Vorrichtung zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauelements

WO2012070368 Art A1 31. Mai 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012070368
Aktenzeichen: EP11842843
Anmeldetag: 4. November 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304H01L21/28H01L21/306H01L21/3065H01L21/31H01L21/336H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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