Semiconductor device with minimal pattern distortion and processes for fabricating semiconductor devices thereof

WO2012070926 Art A1 31. Mai 2012

Anmelder: Mimos Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012070926
Aktenzeichen: EP11842887
Anmeldetag: 6. Juni 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/328H01L21/3105H01L21/316H01L21/225H01L21/311H01L21/324H01L21/266H01L21/312H01L29/70

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mimos Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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