An -nh- terminated silicon surface and a method for its preparation

WO2012071296 Art A2 31. Mai 2012

Anmelder: University Of Delaware 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012071296
Aktenzeichen: EP11843587
Anmeldetag: 21. November 2011
Veröffentlichung: 31. Mai 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: University Of Delaware
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of Delaware

Die University of Delaware ist eine staatliche Universität in den USA mit breitem naturwissenschaftlichem Forschungsprofil. Das Patentportfolio verteilt sich über Medizintechnik, Halbleitertechnik, organische Chemie und Pharma/Biotechnologie. Die Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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