Semiconductor device and method for manufacturing the same
WO2012071987
Art A1
7. Juni 2012
Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012071987
- Aktenzeichen
- EP11845519
- Anmeldetag
- 18. November 2011
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
CSMC Technologies Fab2
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.
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