Semiconductor device
WO2012073307
Art A1
7. Juni 2012
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012073307
- Aktenzeichen
- EP10860161
- Anmeldetag
- 29. November 2010
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/822H01L27/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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