Light-receiving element, detector, semiconductor epitaxial wafer, and method for producing these
WO2012073539
Art A1
7. Juni 2012
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012073539
- Aktenzeichen
- EP11844288
- Anmeldetag
- 18. Mai 2011
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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