Porous Silicon Material

WO2012073652 Art A1 7. Juni 2012

Anmelder: Kyoto University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012073652
Aktenzeichen: EP11845979
Anmeldetag: 7. November 2011
Veröffentlichung: 7. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C25D7/00C01B33/02C25D1/10C25D7/12H01M4/88

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kyoto University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyoto University

Renommierte japanische Universität mit breiter Grundlagenforschung in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

1.706 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen