Electrode structure, substrate holder, and method for forming anodic oxidation layer

WO2012073820 Art A1 7. Juni 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012073820
Aktenzeichen: EP11845600
Anmeldetag: 25. November 2011
Veröffentlichung: 7. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C25D11/04C25D11/00C25D17/08C25D17/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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