Semiconductor device, tft substrate, and method for manufacturing semiconductor device and tft substrate

WO2012073862 Art A1 7. Juni 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012073862
Aktenzeichen: EP11844587
Anmeldetag: 28. November 2011
Veröffentlichung: 7. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L21/336H01L29/41H01L29/417H05B33/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.800 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

Vertreten von