Semiconductor wafer with adhesive layer, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2012073972 Art A1 7. Juni 2012

Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012073972
Aktenzeichen: EP11844289
Anmeldetag: 29. November 2011
Veröffentlichung: 7. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/52H01L21/301

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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