Group iii nitride semiconductor substrate and method for producing the same, and semiconductor light-emitting device and method for producing the same

WO2012074031 Art A1 7. Juni 2012

Anmelder: Mitsubishi Chemical Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012074031
Aktenzeichen: EP11844766
Anmeldetag: 30. November 2011
Veröffentlichung: 7. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mitsubishi Chemical Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, Teil der Mitsubishi-Chemical-Gruppe. Das Unternehmen entwickelt Grund- und Spezialchemikalien, Kunststoffe, Materialien für Elektronik und Energiespeicher sowie Pharma- und Life-Science-Produkte.

2.926 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von