Silicon oxynitride film and method for forming same, and semiconductor device

WO2012077163 Art A1 14. Juni 2012

Anmelder: Nissin Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012077163
Aktenzeichen: EP10860603
Anmeldetag: 8. Dezember 2010
Veröffentlichung: 14. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/318H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nissin Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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