Flash memory using fringing effects and electrostatic shielding

WO2012077951 Art A2 14. Juni 2012

Anmelder: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012077951
Aktenzeichen: EP11847327
Anmeldetag: 5. Dezember 2011
Veröffentlichung: 14. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/8247

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University ist die Patentverwertungseinrichtung der südkoreanischen Hanyang University in Seoul. Das Portfolio deckt vor allem Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik und Gesundheit ab, ergänzt um Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen laufen kontinuierlich seit 2002.

414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von