Ferroelectric capacitor encapsulated with hydrogen barrier
WO2012078162
Art A1
14. Juni 2012
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012078162
- Aktenzeichen
- EP10860613
- Anmeldetag
- 9. Dezember 2010
- Veröffentlichung
- 14. Juni 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/105H01L27/108H01L21/8242
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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