A method of forming a germanium layer on a silicon substrate and a photovoltaic device including a germanium layer

WO2012079113 Art A1 21. Juni 2012

Anmelder: NewSouth Innovations Pty Limited 🇦🇺

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012079113
Aktenzeichen: EP11847982
Anmeldetag: 12. Dezember 2011
Veröffentlichung: 21. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203C23C14/54

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NewSouth Innovations Pty Limited
Land: 🇦🇺 Australien

🇦🇺 NewSouth Innovations

NewSouth Innovations ist die Technologietransfer-Gesellschaft der University of New South Wales in Australien. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt durch Mess- und Prüftechnik sowie Pharma- und Biotechnologie. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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