Spin conductance structure, memory element, spin transistor, and method for forming spin conductance structure

WO2012081694 Art A1 21. Juni 2012

Anmelder: Kyushu University, National University Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012081694
Aktenzeichen: EP11848974
Anmeldetag: 16. Dezember 2011
Veröffentlichung: 21. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246H01F10/30H01F10/32H01L27/105H01L29/66H01L29/82H01L43/08H01L43/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kyushu University, National University Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyushu University

Kyushu University ist eine staatliche Universität in Fukuoka, Japan, mit Forschungsschwerpunkten in Natur- und Ingenieurwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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