Gallium nitride-based led fabrication with pvd-formed aluminum nitride buffer layer

WO2012082788 Art A2 21. Juni 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012082788
Aktenzeichen: EP11848005
Anmeldetag: 13. Dezember 2011
Veröffentlichung: 21. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/203H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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