Power semiconductor field effect transistor structure with charge trapping material in the gate dielectric

WO2012083590 Art A1 28. Juni 2012

Anmelder: The Hong Kong University of Science and Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012083590
Aktenzeichen: EP11851126
Anmeldetag: 20. Dezember 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/739H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: The Hong Kong University of Science and Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 The Hong Kong University of Science and Technology

The Hong Kong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit breiter naturwissenschaftlicher und technischer Forschung. Das Patentportfolio verteilt sich auf Medizintechnik, organische Chemie und Halbleiterbauelemente, ergänzt um Farben, Messtechnik und Nachrichtentechnik. Anmeldungen laufen von 2002 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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