Double-Diffusion Metal-Oxide Semiconductor Devices

WO2012083783 Art A1 28. Juni 2012

Anmelder: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012083783
Aktenzeichen: EP11851235
Anmeldetag: 29. November 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L29/768H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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