Strain relaxation using metal materials and related structures

WO2012085219 Art A1 28. Juni 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012085219
Aktenzeichen: EP11802736
Anmeldetag: 22. Dezember 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von