Semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor substrate, and vertical-cavity surface-emitting laser

WO2012086150 Art A1 28. Juni 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Company Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012086150
Aktenzeichen: EP11852166
Anmeldetag: 13. Dezember 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/183H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Company Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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