Substrate With Embedded Stacked Through-Silicon Via die

WO2012087475 Art A2 28. Juni 2012

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012087475
Aktenzeichen: EP11851782
Anmeldetag: 21. November 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/48H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von