Capacitor with recessed plate portion for dynamic random access memory (dram) and method to form the same

WO2012087476 Art A1 28. Juni 2012

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012087476
Aktenzeichen: EP11850950
Anmeldetag: 21. November 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/108H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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