In-Situ Low-K Capping To Improve Integration Damage Resistance

WO2012087493 Art A2 28. Juni 2012

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012087493
Aktenzeichen: EP11851773
Anmeldetag: 28. November 2011
Veröffentlichung: 28. Juni 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L21/3105

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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