A method for fabricating a semiconductor device

WO2012089314 Art A2 5. Juli 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012089314
Aktenzeichen: EP11801607
Anmeldetag: 15. Dezember 2011
Veröffentlichung: 5. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/18H01L23/31H01L29/32H01L21/30H01L21/02H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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