Oxide for semiconductor layer of thin film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
WO2012091126
Art A1
5. Juli 2012
Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012091126
- Aktenzeichen
- EP11853507
- Anmeldetag
- 28. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 5. Juli 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L21/336H01L21/363
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kobe Steel
Japanischer Stahl- und Maschinenbaukonzern mit Sitz in Kobe, tätig in den Bereichen Stahl, Aluminium, Maschinenbau und Schweißtechnik.
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