Oxide for semiconductor layer of thin film transistor, sputtering target, and thin-film transistor

WO2012091126 Art A1 5. Juli 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012091126
Aktenzeichen: EP11853507
Anmeldetag: 28. Dezember 2011
Veröffentlichung: 5. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kobe Steel

Japanischer Mischkonzern mit Sitz in Kobe, gegründet 1905. Tätigkeitsfelder umfassen Stahl- und Aluminiumerzeugnisse, Maschinenbau sowie Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von