Semiconductor devices with minimized current flow differences and methods of same

WO2012092193 Art A2 5. Juli 2012

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012092193
Aktenzeichen: EP11853518
Anmeldetag: 23. Dezember 2011
Veröffentlichung: 5. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Northrop Grumman Systems Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

1.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von