Manufacturing method of finfet transistor

WO2012092752 Art A1 12. Juli 2012

Anmelder: Peking University Shenzhen Graduate School 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012092752
Aktenzeichen: EP11854971
Anmeldetag: 13. Juni 2011
Veröffentlichung: 12. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University Shenzhen Graduate School
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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