Semiconductor device and method of manufacturing thereof

WO2012093509 Art A1 12. Juli 2012

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012093509
Aktenzeichen: EP11855067
Anmeldetag: 13. September 2011
Veröffentlichung: 12. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L25/07H01L23/36H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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