Method for forming identification marks on silicon carbide single crystal substrate, and silicon carbide single crystal substrate

WO2012093684 Art A1 12. Juli 2012

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012093684
Aktenzeichen: EP12732209
Anmeldetag: 5. Januar 2012
Veröffentlichung: 12. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: B23K26/00C30B29/36C30B33/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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