Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same

WO2012094183 Art A2 12. Juli 2012

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012094183
Aktenzeichen: EP11854673
Anmeldetag: 23. Dezember 2011
Veröffentlichung: 12. Juli 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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